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产品名称:MOS管SL12N100
生产商:萨科微Slkor
产品类型:N沟道
电性能参数:
漏源电压(Vdss): 1000V
连续漏极电流(Id): 12A
功率(Pd): 272W
导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 1.0Ω @ 10V, 6A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 5.0V @ 250μA
封装规格:
封装类型: TO-220
产品特性与应用:
MOS管SL12N100是一款高电压N沟道MOS场效应管,由萨科微Slkor公司生产。其高电压、较大电流和中高功率特性使其适用于中高电压、中高功率的电子应用。
主要特性:
中高电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为1000V,适用于中高电压电路设计。
较大的电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为12A,适用于中电流应用场景。
中高功率: 可以承受272W的功率,适用于中高功率负载。
低导通电阻: 在10V电压和6A电流下,导通电阻为1.0Ω,有助于降低功耗和提高效率。
相对高的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为5.0V @ 250μA,确保稳定的电路控制。
封装优势:
TO-220封装广泛应用于功率器件,其外形适用于表面贴装技术,为高密度电路板设计提供了便利。
应用领域:
MOS管SL12N100广泛应用于中高电压、中高功率的电子应用,包括但不限于:
电源开关: 适用于中高电压电源开关电路。
电源逆变器: 用于中高电压电源逆变器的输出控制。
中高功率电机驱动: 用于中高功率电机控制电路。
安全与可靠性:
MOS管SL12N100经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。
散热设计建议:
由于中高电压和中高功率特性,建议在设计中考虑有效的散热措施,以确保MOS管工作在合适的温度范围内。
总结:
MOS管SL12N100以其中高电压、较大电流和中高功率的特性,为中高电压中高功率的电子系统提供了可靠的解决方案。在需要中高电压承受能力和中高功率特性的场景下,SL12N100是一个值得考虑的选择。
文件名称 | 标题 | 说明 |
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SL12N100T.PDF | SL12N100T | - |
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